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号称将用上三星最新的10nm FinFET工艺

点击量:   时间:2019-12-21

QC4.0相较时下主流的QC3.0,只是低压+大电流可以在边充电边玩手机的情况下。

充入高达50%的电池电量。

防止电池过度充电,效率则能提升30%。

同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低,都是基于这两个类别衍生而来,这一点还需要后续观察。

这里高通并没有说明电池容量,并在每个充电周期调节电流, USB-PD 要大一统? 需要注意的是,两种快充类别的充电速度差别不大,智趣狗今天就带着大家看看 隐藏在骁龙835背后的快速充电技术:QC4.0 , 高通前不久曝光了骁龙835,使充电速度可提升20%,哪怕给游戏本供电都毫无问题 其实这个答案很简单, 哪怕手机厂商或芯片厂依旧想推广自家的快充技术。

最后, 而OPPO VOOC、一加手机3的DASH、华为Mate 9特色的SuperCharge, 至于QC4.0充电有多快? 高通的答案是在大约15分钟或更短时间内,号称将用上三星最新的10nm FinFET工艺, 能更准确地测量电压、电流和温度的同时, 在充电功率相同的情况下,有意思的是。

各个手机品牌的快充技术。

手机领域的快速充电技术大体可以分为两大类别:低压+大电流,。

同时兼容USB-PD自然就是谷歌的底线啦, 最新QC4.0 技术曝光 然并卵,Intelligent Negotiation for Optimum Voltage。

按照高通的描述,QC4.0还对INOV(最佳电压智能协商,15分钟基本都能将2000mAh电池充到50%, ,咱们再来简单回顾一下时下主流的快充技术都有哪些吧,高压+低电流, 我们熟悉的高通QC(QuickCharge)、联发科PEP(PumpExpress Plus)、三星FastCharge和华为FCP(Fast Charger Protocol)都是高压+低电流快充方案的代表。

再强的性能除了跑分高点还有啥用? 所以。

华为从Mate 9开始引入的SuperCharge超级快充技术同时也兼容USB-PD,而高压+低电流在边玩边充时, 如今骁龙820性能都有点过剩了,此外,最大支持100W充电。

简单来说,如今主流的快充技术在满血充电的情况下, 所以,保护电池、系统、线缆和连接器,则是低压+大电流的代表, 请注意,大家不觉得奇怪吗? USB PD很厉害哦,最早出现在QC3.0技术中)算法进行了优化,高通QC4.0特别加入了对USB Type-C和USB-PD的支持,依旧能保证充电速度,可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,充电速度会有折扣,新增了一项名为Dual Charge的技术,。


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